一項(xiàng)理論與實(shí)驗(yàn)合作的研究，發(fā)現(xiàn)了二維結(jié)構(gòu)中的新磁性能，這對(duì)自旋電子學(xué)新興領(lǐng)域研究具有令人興奮的潛力。自旋電子器件除了使用傳統(tǒng)電子器件的電荷外，還使用一種稱為自旋的量子特性。因此，自旋電子學(xué)有望實(shí)現(xiàn)具有顯著增強(qiáng)功能的超高速低能電子設(shè)備。rmit和新南威爾士大學(xué)的研究發(fā)現(xiàn)，在由數(shù)層新穎的二維材料組成，被稱為vdW異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件中，存在著從未見過的磁性能。

        最新結(jié)果表明，與傳統(tǒng)的自旋電子學(xué)方法相比，vdW自旋電子學(xué)可以為器件提供更多的功能。進(jìn)一步的研究可以產(chǎn)生具有重大工業(yè)應(yīng)用價(jià)值的設(shè)備。二維(2-D)范德華(vdW)材料是新一代自旋電子器件的有效組成部分。當(dāng)用非磁性vdW材料(如石墨烯和/或拓?fù)浣^緣體)分層時(shí)，可以組裝vdW異質(zhì)結(jié)構(gòu)，以提供其他無法實(shí)現(xiàn)的器件結(jié)構(gòu)和功能?？茖W(xué)家們研究了二維Fe3GeTe2 (FGT)，在之前的一項(xiàng)研究中，發(fā)現(xiàn)這種金屬在自旋電子器件中具有很好的鐵磁性，在材料中發(fā)現(xiàn)了一種前所未見的巨磁電阻(GMR)模式。

        不像傳統(tǒng)，已知的兩個(gè)GMR狀態(tài)(即高阻和低阻)發(fā)生在薄膜異質(zhì)結(jié)構(gòu)中，研究人員還測(cè)量了反對(duì)稱GMR與一個(gè)額外，不同的中間電阻狀態(tài)。這表明vdW鐵磁異質(zhì)結(jié)構(gòu)與類似結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出本質(zhì)上不同的性質(zhì)，這一令人驚訝的結(jié)果，與之前關(guān)于GMR的觀點(diǎn)相反。這表明vdW異質(zhì)結(jié)構(gòu)具有不同的物理機(jī)制，具有改進(jìn)磁信息存儲(chǔ)的潛力。理論計(jì)算表明，這三種電阻水平是石墨/FGT界面自旋動(dòng)量鎖定誘導(dǎo)自旋極化電流的結(jié)果。